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제7회 삼성전기 1nside Edge 논문대상 공모

2011-05-30l 조회수 3364

 

대학의 기술교육 발전에 필수적인젊은 인재들의 자유로운 발상과 잠재 기술력을 발현할 수 있는 장을 만들고자 제7회 삼성전기 1nside edge 논문대상을 실시합니다.


● 응모 주제

제7회 삼성전기 1nside edge 논문대상


● 응모 자격

국내외 재학 중인 대학원생(Post-Doc 및 외국인 포함)


● 일정

‘11. 05. 23 (月) ~ ’11. 07. 08 (金)

논문제목 및 초록 접수 마감

(삼성전기 홈페이지 www.sem.samsung.co.kr  등록)

‘11. 07. 22 (金)

1차 초록심사 결과 발표

‘11. 09. 30 (金)

2차 최종논문 결과 발표

‘11. 10. 21 (金)

2차 논문 심사 결과 발표

‘11. 11. 24 (木)

3차 발표 심사 및 결과 발표

(시상식 일정은 추후 공지 예정)

 



● 응모 분야

응모분야

세 부 주 제

소재 분야

고분자, 세라믹, 복합재료, LTCC, 나노, MEMS, 박막 공정, 인쇄회로 기판 공정 (도금, 회로, 가공, bumping ), 수동/능동소자 내장 기판, SOFC, Supercapacitor, Sensor, Bio

무선 분야

Analog &Digital IC Design, Wireless Communication Systems, MAC Design and analysis, Network Design and analysis, SoC for wireless application, Communication Software

전력전자

분야

Display Power용 전력전자 기술, 대용량/고밀도 SMPS용 전력전자 기술, 신재생 에너지용 전력전자 기술,열/EMI/EMC 설계기술, SMPS 고효율 Topology 및 제어기술, SMPS Simulation Technology, 고밀도 트랜스 설계기술, Slim 및 고밀도 Power 기술, Digital Power 기술, Power ASIC Circuit Design 기술, 파워소자 설계기술, Battery Management 기술, 모터 제어 시스템, 모터 드라이브 설계, 대용량 인터버 기술

기반기술

분야

열/유체 해석, 구조/진동 해석, 전자장/RF/회로/EMI 해석, 광학/광소자 해석, 재료 해석, 분자모델링, Multi-Physics 해석, Multi-scale 해석, Molecular dynamics simulation, 나노 구조 분석, 유기/무기 화학 정량 정성 분석, 고분자 특성 분석, 결정구조 및 재료 물성 분석, 레이저 분광/계측/가공, 마이크로 소자 고장분석 및 신뢰성 향상 기술, 표면 및 계면 분석, 전장 신뢰성 평가

생산기술

분야

Electronic Packaging / Test, Plating, MCC (Micro Contamination Control) 기술,Yield / Failure Analysis , Visual Inspection, 지능 제어, 초정밀제어(위치, 속도, 토크), 광학계 설계 및 계측, 렌즈 설계 및 금형, 초정밀 가공(극소형 금형기술, 미세형상 성형기술), 인쇄전자(Gravure printing, inkjet printing), 생산시스템(생산 scheduling,생산simulation, MES), Laser Direct Imaging, Laser Trench

 



● 시상내역 및 특전

시 상

특 전

대상(1편)

상패 및 1000만원

· 박사 : 입사, 해외 Post-Doc 지원(1년)

· 석사 : 산학장학생과 동일한 자격 부여

금상(1편)

상패 및 500만원

· 석/박사 : 산학장학생과 동일한 자격 부여

은상(2편)

상패 및 300만원

동상(6편)

상패 및 100만원

 


● 문의처

삼성전기 1nside Edge 논문 대상 사무국

Tel. : 031)300-7835, : inside_edge@samsung.com

Twitter@SEMCOin

 첨부파일 (2개)